„Samsung“ pranešė, kad pradeda masiškai gaminti DDR5 atmintį. Šiai atminčiai gaminti naudojama pažangiausia 14 nm litografija rinkoje. Norint, kad tai pavyktų naudojamas penkių sluoksnių EUV procesas, dėl to „Samsung“ DDR5 atmintis bus pažangiausia rinkoje. Naudojant penkių sluoksnių EUV procesą buvo pasiektas didžiausias bitų tankis, o silicio plokštės produktyvumas buvo pakeltas 20 %. Tuo pačiu 14 nm techprocesas sumažino energijos sąnaudas 20 % lyginant su prieš tai buvusia litografija. Dėl to „Samsung“ pavyko pagaminti lustus, kurie pasiekia 7200 Mbps duomenų pralaidumą. Tai reiškia, kad jie tiks DDR5-7200 atminčiai.  

“We have led the DRAM market for nearly three decades by pioneering key patterning technology innovations. Today, Samsung is setting another technology milestone with multi-layer EUV that has enabled extreme miniaturization at 14nm — a feat not possible with the conventional argon fluoride (ArF) process. Building on this advancement, we will continue to provide the most differentiated memory solutions by fully addressing the need for greater performance and capacity in the data-driven world of 5G, AI and the metaverse.”

said Jooyoung Lee, Senior Vice President and Head of DRAM Product & Technology at Samsung Electronics.

Categories: Hardware / Geležis

Parašykite komentarą

El. pašto adresas nebus skelbiamas. Būtini laukeliai pažymėti *