„Samsung“ praneša, kad jie pradeda gaminti 5 kartos NAND atmintį, kuri yra net 96 sluoksnių. Prieš tai buvo gaminama 64 sluoksnių NAND atmintis. Dėka naujos technologijos atmintis bus greitesnė ir su mažesniu atsako laiku.

„Samsung“ sako, kad jų atmintis turi daugiau nei 90 sluoksnių, bet realiai tų sluoksnių yra 96. Kiekvieno sluoksnio aukštis yra sumažintas 20 %, o tai leidžia padidinti gamybos produktyvumą daugiau nei 30 %.

Nauja 5 kartos NAND atmintis naudoja specialią DDR 4.0 sąsają, kurios dėka galima padidinti duomenų perdavimą tarp kaupiklio ir operatyviosios atminties. Naujausias 256 Gb NAND lustas gali pasiekti 1.4 Gbps spartą, o tai yra 40 % išaugusi sparta lyginant su 4 kartos NAND atmintimi. 5 kartos NAND dar turi daug mažesnę įtampą – 1.2 V, senesnei atminčiai reikėjo 1.8 V. Kaip minėjome, sumažintas ir atsako laikas, dabar rašant atsako laikas yra 500 mikrosekundžių, o tai 30 % pagerėjimas. Duomenis skaitant atsako laikas yra sumažintas iki 50 mikrosekundžių.

„Samsung“ planuoja toliau didinti 5 karto NAND gamybą, pirmiausia bus kepami 256 Gb TLC atminties lustai. Ši atminties bus naudojama įprastuose ir serverių tipo kaupikliuose. Didesnės talpos lustai bus gaminami vėliau.  

Categories: Hardware / Geležis

Parašykite komentarą

El. pašto adresas nebus skelbiamas. Būtini laukeliai pažymėti *