RAMBUS atskleidė, kaip turi atrodyti ateities atminties technologijos: HBM3 ir DDR5. Jų artimiausiu metu dar tikrai nesulauksime, bet visai įdomu pažiūrėti, kas mūsų laukia ateityje. Manoma, kad anksčiausiai HBM3 ir DDR5 galime išvysti 2019 metais, o labiau tikėtina, kad ir vėliau.

Atskleidžiama, kad HBM3 už pirmtaką HBM2 bus greitesnė mažiausiai du kartus. Teorinis duomenų perdavimas turėtų siekti 4 GT/s. Vieno tokio atminties bokšto pralaidumas su 1024 bit turėtų siekti nuo 512 GB/s iki 1 TB/s. Palyginimui HBM2 iš vieno atmintis bokšto gali išspausti 256 GB/s.

DDR5 irgi pagreitės. Duomenų perdavimas bus 4.8-6.4 GT/s ribose. Palyginimui DDR4 turi vidutinį 3.2 GT/s duomenų perdavimą. Šis spartos padidėjimas nėra toks didelis kaip HBM2->HBM3 atveju, bet vis tiek yra sveikintinas.

Manoma, kad abi atminties technologijos bus gaminamos naudojant 7 nm litografiją. Kaip minėjome, tai tikriausiai įvyks 2019, o gal ir 2020 metais.

Categories: Hardware / Geležis

Parašykite komentarą

El. pašto adresas nebus skelbiamas. Būtini laukeliai pažymėti *