„Samsung“ pradėjo masinę 10 nm lustų gamybą

„Samsung“ išdidžiai praneša, kad pirmieji pasaulyje pradėjo masinę 10 nm FinFET lustų gamybą. Pirmiausia naujos gamybos metodo privalumus pajaus sisteminiai lustai, kitaip žinomi SoC (System on Chip).

Dabar paleidžiamas 10 nm FinFET LPE techprocesas bus geresnis už pirmtaką 14 nm. Su 10 nm LPE litografija lustai talpins iki 30 % daugiau tranzistorių bei pasiūlys 27 % išaugusia spartą arba 40 % sumažėjusias elektros sąnaudas. Visi šie skaičiai gauti 10 nm LPE lyginant su 14 nm gamybos metodu.

2017 metų antroje pusėje sulauksime dabar startavusio 10 nm LPE gamybos metodo patobulinimo – 10 nm LPP. Tai leis dar labiau padidinti lustų spartą ir sumažinti energijos sąnaudas.

Pirmieji įrenginiai su 10 nm lustais pasirodys 2017 metų pradžioje.

samsung

Parašykite komentarą

El. pašto adresas nebus skelbiamas. Būtini laukeliai pažymėti *