„Samsung“ išdidžiai praneša, kad pirmieji pasaulyje pradėjo masinę 10 nm FinFET lustų gamybą. Pirmiausia naujos gamybos metodo privalumus pajaus sisteminiai lustai, kitaip žinomi SoC (System on Chip).

Dabar paleidžiamas 10 nm FinFET LPE techprocesas bus geresnis už pirmtaką 14 nm. Su 10 nm LPE litografija lustai talpins iki 30 % daugiau tranzistorių bei pasiūlys 27 % išaugusia spartą arba 40 % sumažėjusias elektros sąnaudas. Visi šie skaičiai gauti 10 nm LPE lyginant su 14 nm gamybos metodu.

2017 metų antroje pusėje sulauksime dabar startavusio 10 nm LPE gamybos metodo patobulinimo – 10 nm LPP. Tai leis dar labiau padidinti lustų spartą ir sumažinti energijos sąnaudas.

Pirmieji įrenginiai su 10 nm lustais pasirodys 2017 metų pradžioje.

samsung

Categories: ĮvairūsTelefonai

Parašykite komentarą

El. pašto adresas nebus skelbiamas. Būtini laukeliai pažymėti *

Related Posts

Telefonai

„Google Pixel 2“ ištvermės testas

Kaip jau darosi įprasta nauji telefonai visada išbandomi kaip jie atsilaiko prieš įvairiu kankinimus. Taip mums suteikiama proga teoriškai pamatyti koks telefono ilgaamžiškumas ir ar iš kokybiškų medžiagų jis pagamintas. Šį kartą ištvermės testą laiko Skaityti…

Hardware / Geležis

Automatinis asmeninio kompiuterio komponentų parinkimas

Nežinome ar internete yra labai daug automatinių komponentų parinkiklių pagal kainą, veiklos rūšį, procesoriaus ar vaizdo plokštės gamintoją ir kaip tiksliai jie atlieka darbą. Bet siūlome pažvelgti į „WCCFTech“ projektą – „Build My PC“. Programėle Skaityti…

Telefonai

JAV labiau perkamas „iPhone 7“ nei „iPhone 8“

„Routers“ praneša neįtikėtiną žinią. JAV pirkėjai mieliau renkasi praėjusių metų „iPhone 7“ nei ką tik išleistą „iPhone 8“. Jau „iPhone 8“ išleidimo metu buvo stipriai diskutuojama apie tai, kad naujasis „iPhone 8“ nuo pirmtako beveik Skaityti…